Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージLFPAK, PSMN4R8-100BSEJ

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梱包形態
RS品番:
219-429
メーカー型番:
PSMN4R8-100BSEJ
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

LFPAK

シリーズ

PSM

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

405W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

278nC

動作温度 Min

25°C

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
PH
Nexperia NチャンネルMOSFETは、非常に低いRDS(on)と安全な動作エリアの性能を強化しています。ホットスワップコントローラ用に最適化されており、高いインラッシュ電流に耐え、I2R損失を最小限に抑え、効率を向上させます。用途には、ホットスワップ、負荷スイッチング、ソフトスタート、eヒューズなどがあります。

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