onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 129 A エンハンスメント型, 29-Pin パッケージPIM29, NXH008T120M3F2PTHG

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梱包形態
RS品番:
220-552
メーカー型番:
NXH008T120M3F2PTHG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

129A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

NXH

パッケージ型式

PIM29

ピン数

29

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

371W

順方向電圧 Vf

4.8V

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Min

-40°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

454nC

動作温度 Max

175°C

幅

42.5 mm

長さ

56.7mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

オン・セミコンダクターのMOSFETは、8 mΩ/1200 V SiC MOSFET TNPCとHPS DBC付きサーミスタをF2パッケージに収めたパワー・モジュールです。

ハロゲン未使用

RoHS適合

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