onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 191 A エンハンスメント型, 36-Pin パッケージPIM36, NXH006P120M3F2PTHG

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梱包形態
RS品番:
220-575
メーカー型番:
NXH006P120M3F2PTHG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

191A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

PIM36

シリーズ

NXH

ピン数

36

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

7.5V

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

622nC

最大許容損失Pd

556W

動作温度 Max

175°C

長さ

51mm

高さ

16.5mm

規格 / 承認

Halide Free, RoHS, Pb-Free

幅

62.8 mm

自動車規格

なし

オン・セミコンダクターのMOSFETは、F2パッケージに6 mΩ/1200 V SiC MOSFETハーフブリッジとHPS DBC付きサーミスタを搭載したパワー・モジュールです。

ハロゲン未使用

RoHS適合

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