onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 253 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFNW-5, NVMFWS1D5N08XT1G
- RS品番:
- 220-570
- メーカー型番:
- NVMFWS1D5N08XT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 220-570
- メーカー型番:
- NVMFWS1D5N08XT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 253A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | DFNW-5 | |
| シリーズ | NVMFWS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.43mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 194W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 6 mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 253A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 DFNW-5 | ||
シリーズ NVMFWS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.43mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 194W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 | ||
長さ 5mm | ||
幅 6 mm | ||
自動車規格 AEC-Q | ||
- COO(原産国):
- MY
オン・セミコンダクターのMOSFETは、コンパクトで効率的な設計向けに設計された5x6mmフラット・リード・パッケージで、高い熱性能を備えています。光学検査を強化するために、ウェッタブル・フランク・オプションが利用可能。AEC-Q101準拠のMOSFET、車載用途に適したPPAP対応品です。
ハロゲン未使用
RoHS適合
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