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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	International Rectifier
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	200V
	パッケージ型式	TO-252
	シリーズ	HEXFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	600mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	15nC
	最大許容損失Pd	43W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	175°C
	長さ	6.73mm
	規格 / 承認	No
	高さ	2.39mm
	幅	6.22 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド International Rectifier
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V
	パッケージ型式 TO-252
	シリーズ HEXFET
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 600mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC
	最大許容損失Pd 43W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 175°C
	長さ 6.73mm
	規格 / 承認 No
	高さ 2.39mm
	幅 6.22 mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: MX

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon

InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

MOSFETトランジスタ、Infineon

Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

International Rectifier MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, 4425043

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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