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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	International Rectifier
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	11.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SOIC
	シリーズ	HEXFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	14mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.3V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	14nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	最大許容損失Pd	3W
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	長さ	5mm
	高さ	1.5mm
	規格 / 承認	No
	幅	4 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド International Rectifier
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 11.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SOIC
	シリーズ HEXFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 14mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.3V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14nC
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	最大許容損失Pd 3W
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	長さ 5mm
	高さ 1.5mm
	規格 / 承認 No
	幅 4 mm
	自動車規格なし

HEXFET Power MOSFET Datasheet

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:: TH

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon

InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon

Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

International Rectifier MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 11.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, IRF7811AVTRPBF

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon

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