ローム MOSFET, タイプNチャンネル 60 V エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSMT-8, RQ3L060BGTB1

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梱包形態
RS品番:
264-578
メーカー型番:
RQ3L060BGTB1
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

HSMT-8

シリーズ

RQ3

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

38mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

5.5nC

最大許容損失Pd

14W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

HSMT8パッケージのロームNch 60V 15.5AパワーMOSFETは、低オン抵抗とハイパワー設計を特長とし、スイッチング、モータドライブ、DC/DCコンバータアプリケーションに最適です。

低オン抵抗

ハイパワー小型モールドパッケージ HSMT8

鉛フリーめっき、RoHS対応

ハロゲンフリー

100%RgおよびUISテスト済み

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