ローム MOSFET, タイプNチャンネル 60 V エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSMT-8, RQ3L060BGTB1
- RS品番:
- 264-578
- メーカー型番:
- RQ3L060BGTB1
- メーカー/ブランド名:
- ローム
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- RS品番:
- 264-578
- メーカー型番:
- RQ3L060BGTB1
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | RQ3 | |
| パッケージ型式 | HSMT-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 38mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 14W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ RQ3 | ||
パッケージ型式 HSMT-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 38mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.5nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 14W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
HSMT8パッケージのロームNch 60V 15.5AパワーMOSFETは、低オン抵抗とハイパワー設計を特長とし、スイッチング、モータドライブ、DC/DCコンバータアプリケーションに最適です。
低オン抵抗
ハイパワー小型モールドパッケージ HSMT8
鉛フリーめっき、RoHS対応
ハロゲンフリー
100%RgおよびUISテスト済み
