ローム MOSFET 80 V, 10 A, 表面, 8-Pin パッケージHSMT-8, RQ3N040ATTB1
- RS品番:
- 329-148
- メーカー型番:
- RQ3N040ATTB1
- メーカー/ブランド名:
- ローム
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|---|---|---|
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| 100 - 240 | ¥87.70 | ¥877 |
| 250 - 490 | ¥81.30 | ¥813 |
| 500 - 990 | ¥74.80 | ¥748 |
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- RS品番:
- 329-148
- メーカー型番:
- RQ3N040ATTB1
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | HSMT-8 | |
| シリーズ | RQ3N | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 126mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大許容損失Pd | 15W | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 HSMT-8 | ||
シリーズ RQ3N | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 126mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22nC | ||
最大許容損失Pd 15W | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
ローム パワー MOSFET は、抵抗が少なく高出力のパッケージで、スイッチングドライブやモータドライブに適しています。抵抗が少なく、ゲート - ソース保護ダイオードを内蔵しているため、DC-DC コンバータやその他の電源管理回路での使用に適しています。
ハイパワー小型モールドパッケージ
鉛フリーメッキおよび RoHS 準拠
100% Rg および UIS テスト済み
ハロゲンフリー
