2 ローム MOSFET, タイプNチャンネル, 13 A, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型, HT8KE6TB1 パッケージHSMT-8
- RS品番:
- 264-876
- メーカー型番:
- HT8KE6TB1
- メーカー/ブランド名:
- ローム
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | ￥155.50 | ￥1,555 |
| 100 - 240 | ￥147.60 | ￥1,476 |
| 250 - 490 | ￥136.80 | ￥1,368 |
| 500 - 990 | ￥126.10 | ￥1,261 |
| 1000 + | ￥121.40 | ￥1,214 |
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- RS品番:
- 264-876
- メーカー型番:
- HT8KE6TB1
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 13A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | HSMT-8 | |
| シリーズ | HT8K | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 57mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 14W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 13A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 HSMT-8 | ||
シリーズ HT8K | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 57mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 14W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.7nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
ロームのパワーMOSFETはデュアルNチャンネル構成で、定格電圧100V、電流容量13Aです。HSOP8パッケージで設計され、低オン抵抗を提供します。
低オン抵抗
小型面実装パッケージ（HSOP8）
鉛フリー鉛メッキ、RoHS対応
ハロゲンフリー