ローム シングルMOSFET, デュアルNチャンネル 150 V エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSMT-8, HT8KF6HTB1

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梱包形態
RS品番:
687-371
メーカー型番:
HT8KF6HTB1
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

チャンネルタイプ

デュアルN

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

HT8KF6H

パッケージ型式

HSMT-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

214mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

14W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.4nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

3.45mm

高さ

0.8mm

3.4 mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
JP
ロームのNチャンネルパワーMOSFETは、さまざまな用途で効率的な電力管理を実現するように設計されています。このコンポーネントは、±7.0Aの最大連続ドレイン電流を含む堅牢な電気特性を提供し、高負荷下でも信頼性の高い動作を保証します。鉛フリーおよびハロゲンフリーの素材は、RoHS基準に適合しており、環境に優しい設計に貢献します。このMOSFETの熱抵抗は最適化されており、効果的な熱放散を可能にし、さまざまな電子用途でデバイスの寿命と性能を向上させます。

低オン抵抗で効率を向上

コンパクトなHSMT8モールドパッケージで高出力容量

鉛フリーメッキによるRoHS規制に準拠

環境に優しい取り組みをサポートするハロゲンフリー設計

モータードライブや電力管理システムにおける汎用性の高い用途

最大ジャンクション温度定格: 150 °C

印象的な最大消費電力: 14 W

最大エネルギー0.24 mJの信頼性の高いアバランシェ特性

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