Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 171 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WSON-8, BSC023N08NS5SCATMA1

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RS品番:
284-636
メーカー型番:
BSC023N08NS5SCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

171A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PG-WSON-8

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

8

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

188W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

インフィニオンOptiMOSパワーMOSFETは、高効率と堅牢な性能を必要とする要求の厳しい用途で優れた機能を発揮するように設計されています。このトランジスタは、革新的なPG WSON 8パッケージで設計されており、優れた熱管理を実現し、動作中の最適な散熱を確保します。さらに、デュアルサイド冷却機能により、熱性能が大幅に向上し、動作温度範囲が拡張されているため、さまざまな環境での汎用性が向上します。信頼性に重点を置いたこのデバイスは、産業用途で期待される厳しい品質基準を満たすための厳格なテストを受けており、熱制限を管理しながらシステムの性能を向上させたいエンジニアにとって信頼性の高い選択肢となっています。

高効率でエネルギー損失を最小化

デュアルサイド冷却により、熱管理を強化

省スペース統合が可能なコンパクト設計

高い信頼性基準に適合

さまざまな産業用途に最適

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