Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 171 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WSON-8, BSC023N08NS5SCATMA1

RS品番:: 284-636
メーカー型番:: BSC023N08NS5SCATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 171 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WSON-8, BSC023N08NS5SCATMA1

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RS品番:: 284-636
メーカー型番:: BSC023N08NS5SCATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	171A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	PG-WSON-8
	シリーズ	OptiMOS
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	188W
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS Compliant
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 171A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 PG-WSON-8
	シリーズ OptiMOS
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 188W
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	自動車規格なし

Datasheet - BSC023N08NS5SCATMA1

インフィニオンOptiMOSパワーMOSFETは、高効率と堅牢な性能を必要とする要求の厳しい用途で優れた機能を発揮するように設計されています。このトランジスタは、革新的なPG WSON 8パッケージで設計されており、優れた熱管理を実現し、動作中の最適な散熱を確保します。さらに、デュアルサイド冷却機能により、熱性能が大幅に向上し、動作温度範囲が拡張されているため、さまざまな環境での汎用性が向上します。信頼性に重点を置いたこのデバイスは、産業用途で期待される厳しい品質基準を満たすための厳格なテストを受けており、熱制限を管理しながらシステムの性能を向上させたいエンジニアにとって信頼性の高い選択肢となっています。

高効率でエネルギー損失を最小化

デュアルサイド冷却により、熱管理を強化

省スペース統合が可能なコンパクト設計

高い信頼性基準に適合

さまざまな産業用途に最適

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 171 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WSON-8, BSC023N08NS5SCATMA1

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