Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 89 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WSON-8, BSC093N15NS5SCATMA1

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RS品番:
284-644
メーカー型番:
BSC093N15NS5SCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

89A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-WSON-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

167W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

インフィニオンOptiMOSパワーMOSFETは、最適な効率を必要とする要求の厳しい用途向けに設計された高性能NチャンネルMOSFETです。最大150 Vの動作電圧と優れた熱性能を備えています。デュアルサイド冷却技術で設計されており、優れた耐熱性を発揮し、過酷な条件下でも信頼性の高い動作を実現します。革新的な設計エレメントを統合することで、抵抗を低減し、電源管理システムの全体的な効率を向上させます。産業用途に最適な堅牢な構造により、長寿命と信頼性の高い性能を保証します。

熱管理用のデュアルサイド冷却パッケージ

高周波使用に最適な優れた電力効率

広い動作温度範囲により信頼性が向上

低オン抵抗により、エネルギー効率を向上

先進的な電源用途向けの高速スイッチング速度

産業用JEDEC規格に準拠

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