Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 89 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WSON-8, BSC093N15NS5SCATMA1
- RS品番:
- 284-645
- メーカー型番:
- BSC093N15NS5SCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- BSC093N15NS5SCATMA1
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仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 89A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | PG-WSON-8 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9.3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 最大許容損失Pd | 167W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 89A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 PG-WSON-8 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
最大許容損失Pd 167W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンOptiMOSパワーMOSFETは、最適な効率を必要とする要求の厳しい用途向けに設計された高性能NチャンネルMOSFETです。最大150 Vの動作電圧と優れた熱性能を備えています。デュアルサイド冷却技術で設計されており、優れた耐熱性を発揮し、過酷な条件下でも信頼性の高い動作を実現します。革新的な設計エレメントを統合することで、抵抗を低減し、電源管理システムの全体的な効率を向上させます。産業用途に最適な堅牢な構造により、長寿命と信頼性の高い性能を保証します。
熱管理用のデュアルサイド冷却パッケージ
高周波使用に最適な優れた電力効率
広い動作温度範囲により信頼性が向上
低オン抵抗により、エネルギー効率を向上
先進的な電源用途向けの高速スイッチング速度
産業用JEDEC規格に準拠
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