Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 56 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WSON-8, BSC160N15NS5SCATMA1

RS品番:: 284-650
メーカー型番:: BSC160N15NS5SCATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 56 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WSON-8, BSC160N15NS5SCATMA1

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RS品番:: 284-650
メーカー型番:: BSC160N15NS5SCATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	56A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	150V
	シリーズ	OptiMOS
	パッケージ型式	PG-WSON-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	16mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	115W
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS Compliant
	自動車規格	なし

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	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 56A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V
	シリーズ OptiMOS
	パッケージ型式 PG-WSON-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 16mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 115W
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	自動車規格なし

Datasheet - BSC160N15NS5SCATMA1

インフィニオンOptiMOS パワー MOSFETは、高周波スイッチング用途で卓越した性能を発揮するよう設計されています。堅牢な150V定格により、産業用および自動車用の電子機器に信頼性の高いソリューションとして機能します。デュアルサイド冷却PG WSON 8パッケージにより、熱抵抗が最小限に抑えられ、重い負荷条件下でも効率的な散熱を実現します。Nチャンネル動作向けに設計されたこのMOSFETは、同期整流に優れ、効率と信頼性が最も重要な電力管理作業に最適です。メーカーにとって、このコンポーネントが厳しい要件を満たし、過酷な環境で効果的かつ安定した性能を発揮することを信頼できます。

高周波動作に最適化

デュアルサイド冷却により熱抵抗を低減

鉛フリーリードめっきによりRoHS準拠

優れたゲート充電性能により、効率を向上

同期整流用途に最適

効率を損なうことなく高温で動作

産業用JEDEC規格に準拠

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 56 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WSON-8, BSC160N15NS5SCATMA1

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