Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 56 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WSON-8, BSC160N15NS5SCATMA1
- RS品番:
- 284-650
- メーカー型番:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- 284-650
- メーカー型番:
- BSC160N15NS5SCATMA1
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仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 56A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | PG-WSON-8 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 16mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 最大許容損失Pd | 115W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 56A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 PG-WSON-8 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 16mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
最大許容損失Pd 115W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンOptiMOS パワー MOSFETは、高周波スイッチング用途で卓越した性能を発揮するよう設計されています。堅牢な150V定格により、産業用および自動車用の電子機器に信頼性の高いソリューションとして機能します。デュアルサイド冷却PG WSON 8パッケージにより、熱抵抗が最小限に抑えられ、重い負荷条件下でも効率的な散熱を実現します。Nチャンネル動作向けに設計されたこのMOSFETは、同期整流に優れ、効率と信頼性が最も重要な電力管理作業に最適です。メーカーにとって、このコンポーネントが厳しい要件を満たし、過酷な環境で効果的かつ安定した性能を発揮することを信頼できます。
高周波動作に最適化
デュアルサイド冷却により熱抵抗を低減
鉛フリーリードめっきによりRoHS準拠
優れたゲート充電性能により、効率を向上
同期整流用途に最適
効率を損なうことなく高温で動作
産業用JEDEC規格に準拠
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