Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 77 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WSON-8, BSC110N15NS5SCATMA1

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RS品番:
284-648
メーカー型番:
BSC110N15NS5SCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

77A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-WSON-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

150W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

インフィニオンOptiMOSパワーMOSFETは、MOSFETテクノロジーの領域で最高の性能を発揮します。過酷な産業用途向けに設計されており、優れた効率と信頼性を発揮し、高周波スイッチングや同期整流に最適です。このデバイスは、革新的なデュアルサイド冷却と最大175°Cの動作温度機能により、大きな熱ストレス下でも堅牢な動作を実現します。先進的な素材の注入により、熱安定性と信頼性をさらに向上させ、最も厳しい業界規格を満たすことができます。JEDEC規格に準拠した包括的な検証により、このMOSFETは、パワーエレクトロニクスにおける卓越性を追求するエンジニア向けにカスタマイズされています。

信頼性を高める卓越した耐熱性

汎用性の高いスイッチングを実現するNチャンネル設計

スペース効率を向上させるストリーミングパッケージ

産業用途の性能に適合

高周波テクノロジー設計に最適化

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