Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 331 A エンハンスメント型, 表面, 16-Pin パッケージPG-HDSOP-16, IPTC017N12NM6ATMA1

RS品番:: 284-692
メーカー型番:: IPTC017N12NM6ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 331 A エンハンスメント型, 表面, 16-Pin パッケージPG-HDSOP-16, IPTC017N12NM6ATMA1

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RS品番:: 284-692
メーカー型番:: IPTC017N12NM6ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	331A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	120V
	シリーズ	OptiMOS
	パッケージ型式	PG-HDSOP-16
	取付タイプ	表面
	ピン数	16
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.7mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	395W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS Compliant
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 331A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 120V
	シリーズ OptiMOS
	パッケージ型式 PG-HDSOP-16
	取付タイプ表面
	ピン数 16
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.7mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 395W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	自動車規格なし

Datasheet - IPTC017N12NM6ATMA1

COO（原産国）:: DE

インフィニオンMOSFETは、OptiMOS 6パワートランジスタを備え、高周波スイッチング用途で卓越した性能を発揮するよう設計されています。堅牢な設計により、このMOSFETトランジスタは、状態抵抗を最小限に抑えるNチャンネル構成と最適化されたゲート充電特性を備えているため、現代の電子回路に最適です。高いアバランチエネルギー定格と最大175°Cの幅広い動作温度範囲により、さまざまな産業用途での信頼性を向上させます。PG HDSOP 16パッケージに収納されたこの製品は、コンパクトなサイズと高い熱性能を組み合わせた製品で、過酷な環境での電力管理の信頼性と効率の高いソリューションを求めるエンジニアにとって貴重な選択肢となっています。

優れた制御を実現するNチャンネル構成

極めて低いオン抵抗でエネルギー損失を低減

より迅速なスイッチングを実現するための最適化されたゲート充電

高アバランチエネルギーにより回路の堅牢性を向上

高温での信頼性の高い動作

コンパクトなPG HDSOP 16パッケージでスペースを最大化

鉛フリーリードめっきにより、環境に優しい設計を実現

ハロゲンフリーで電子機器のサステナビリティを向上

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 331 A エンハンスメント型, 表面, 16-Pin パッケージPG-HDSOP-16, IPTC017N12NM6ATMA1

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