Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 365 A, 1.4 mΩ, 168 nC, 16ピン, パッケージ:HDSOP

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梱包形態
RS品番:
259-2732
メーカー型番:
IPTC014N10NM5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

365A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

HDSOP

シリーズ

IPT

取付タイプ

表面実装

ピン数

16

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

168nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

375W

順方向電圧 Vf

880mV

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS, IEC 61249-2-21

自動車規格

なし

Infineon IPTシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧100V、最大連続ドレイン電流365A - IPTC014N10NM5ATMA1


このMOSFETは、要求の厳しい電子システムでの高電流スイッチング向けに設計されたエンハンスメントモードNチャンネルトランジスタです。幅広い環境範囲で動作し、低プロファイル基板実装用にパッケージ化されており、堅牢な導電性と耐熱性を必要とする用途に大きな電力処理を提供します。

特長および利点:


• 低導電抵抗によりオン状態の損失を低減し、効率的な電力伝送を実現
• 高い連続ドレイン電流により、高電流動作を実現
• 375Wの消費電力容量により、高出力スイッチング作業をサポート
• 168nCゲート充電により、駆動エネルギーとスイッチングダイナミクスのバランスを維持
• 幅広い動作温度範囲により、過酷な環境でも動作可能

用途


• 大電流モータ駆動段に最適
• 電源出力段やコンバータに最適
• 高放電回路のバッテリ管理に使用
• 産業用インバータスイッチングアセンブリに使用可能

動作中にどのようなゲート電圧許容差を遵守する必要がありますか?


損傷を防止するため、ゲートはソースに対して20Vのピークを超えてはなりません。

このデバイスは、連続動作中の熱ストレスにどのように対応しますか?


適切なボードの熱管理と冷却を実施することで、最大375Wの消費電力を発揮できます。

導通損失に対してどのような抵抗性能を期待できますか?


オン抵抗は1.4 mΩで指定され、定格条件下での低い導通損失を定義します。

保管時や使用時にどのような極端な温度に耐えられますか?


定格動作温度は-55°C~175°Cで、非常に広い温度範囲で使用できます。

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