Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 196 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IMT65R022M1HXUMA1
- RS品番:
- 284-713
- メーカー型番:
- IMT65R022M1HXUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 284-713
- メーカー型番:
- IMT65R022M1HXUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 196A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PG-HSOF-8 | |
| シリーズ | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 30mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 196A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PG-HSOF-8 | ||
シリーズ CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 30mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- AT
インフィニオンCoolSiC MOSFET 650 V G1は、最先端のシリコンカーバイド技術で設計されたパワーエレクトロニクスの大きな進歩を表し、性能と信頼性を向上させます。この革新的なデバイスは、最適化されたスイッチング特性を誇り、要求の厳しい用途で高効率を実現します。過酷な環境でも優れた性能を発揮し、従来のシリコンデバイスを超える優れた耐熱性と信頼性を発揮します。汎用性により、通信、再生可能エネルギー、電気自動車の充電など、さまざまなシステムにシームレスに統合できます。優れた熱管理向けに設計されており、システム全体のフットプリントを削減しながら長期的な性能を確保します。CoolSiC MOSFETは、現代の電力変換に最適なソリューションで、エネルギー効率の高いコンパクトな設計に向けた取り組みをサポートします。
最適化されたスイッチングにより、システム効率を向上
標準ドライバ構成に対応
高温環境に効果的
ケルビンソースによるスイッチング損失の削減
信頼性の高い高速ボディダイオード設計
ハード切り替えトポロジをサポート
効率を向上させ、コストを削減
JEDEC規格に準拠
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