Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 23 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IPT60T022S7XTMA1

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RS品番:
349-260
メーカー型番:
IPT60T022S7XTMA1
メーカー/ブランド名:
Infineon
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ブランド

Infineon

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

23A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IPT

パッケージ型式

PG-HSOF-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.82V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

390W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

150nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC, JS-001, RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon CoolMOS S7 は、HV SJ MOSFET としては最も低い Rdson 値を誇り、エネルギー効率が際立って向上しています。内蔵温度センサは、簡単でシームレスな実装を維持しながら、ジャンクション温度の検出精度と堅牢性を向上させます。CoolMOS S7 はスタティックスイッチングと大電流用途に最適化されています。ソリッドステートリレー、サーキットブレーカ設計、SMPS およびインバータトポロジにおけるライン整流に最適です。この新型温度センサは S7 の機能を強化し、パワートランジスタの可能な限りの活用を可能にします。

CoolMOS S7 技術により、最小のフットプリントで最小の RDS(on) を実現

低周波スイッチング用途で最適化されたコストパフォーマンス

高いパルス電流容量

最低システムでのシームレスな診断

保護とサーマルデバイス利用の最適化のための温度感知機能

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