Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 99 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TSON-8, IQE022N06LM5CGSCATMA1

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RS品番:
284-751
メーカー型番:
IQE022N06LM5CGSCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

99A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-TSON-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

100W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETは、スイッチモード電源で高性能を発揮するように設計されたパワートランジスタで、要求の厳しい用途での信頼性を確保します。OptiMOS 5シリーズ内で設計され、優れた効率と低オン抵抗を実現し、同期整流に最適です。鉛フリーでRoHS準拠の構造により、最新の環境規格を満たすだけでなく、さまざまな条件下で堅牢な性能を発揮します。このトランジスタは、高度な熱管理機能を備えており、アバランチ等級を備えているため、過酷な環境でも安全な動作と耐久性を実現します。ロジックレベルドライブ機能により、幅広い電子システムにシームレスに統合でき、汎用性とパフォーマンスの安定性をさらに示します。

高効率の電力変換に最適化

低オン抵抗で性能を向上

鉛フリー設計により、環境に適合

アバランチテスト済みで信頼性が向上

ロジックレベルドライブにより、低電圧インターフェイスを簡素化

熱抵抗による効率的な熱管理

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