Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 99 A, 4.6 mΩ, 19 nC, 8ピン, パッケージ：PG-WHSON-8
- RS品番:
- 284-767
- メーカー型番:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱停止中
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- 284-767
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- IQE046N08LM5SCATMA1
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- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 99A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | PG-WHSON-8 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.6mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 100W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 19nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 99A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 PG-WHSON-8 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.6mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 100W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 19nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンMOSFETは、OptiMOS 5パワートランジスタを備え、高効率用途で卓越した性能と信頼性を発揮するよう設計されています。この革新的なMOSFETは、スイッチモード電源の同期整流用に設計されており、高度な熱管理機能を統合し、優れた散熱を実現します。極めて低いオン抵抗のロジックレベルNチャンネル構成により、高温でも効率的な動作を保証します。このコンポーネントは、厳しい業界規格に適合し、堅牢なアバランチ保護を提供しているため、高電流の取り扱いと環境的耐久性を必要とする産業用途に最適です。
高性能スイッチングに最適化
低オン抵抗により、エネルギー効率を向上
堅牢な熱性能により長寿命を実現
信頼性に関するアバランチテスト済み
鉛フリーリードめっきは、RoHS規格に適合
ハロゲンフリーで環境に優しいコンプライアンスを実現
厳しい産業用途に最適
コンパクトパッケージで統合が容易
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