Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 150 V, -22 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, ISC16DP15LMATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
梱包形態
RS品番:
284-786
メーカー型番:
ISC16DP15LMATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

-22A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

OptiMOS Power Transistor

パッケージ型式

PG-TDSON-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

160mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

188W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETは、OptiMOSパワートランジスタを備え、様々な産業用途において卓越した性能を発揮するよう設計されています。高度なPチャンネルアーキテクチャと堅牢な構造により、過酷な条件下でも信頼性を確保します。150Vのブレークダウン電圧を備えたこのトランジスタは、大きな電圧を効果的に処理できるように設計されています。低オン抵抗により、効率を向上させ、電源管理システムの貴重なコンポーネントになります。このトランジスタは、RoHS準拠規格に準拠することで、環境のサステナビリティに対するコミットメントをさらに強調し、前向きなプロジェクトに最適な選択肢となっています。

極めて低いオン抵抗により効率を向上

信頼性の高い100%アバランチテスト済み

ロジックレベルゲートドライブ互換性

優れた熱性能により熱を低減

環境に配慮したRoHS準拠

信頼性に関するJEDEC規格に準拠

適応性の高い構成を実現するコンパクト設計

ハロゲンフリーリードめっきにより、環境安全性を向上

関連ページ