Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 150 V, -22 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, ISC16DP15LMATMA1
- RS品番:
- 284-786
- メーカー型番:
- ISC16DP15LMATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 284-786
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- ISC16DP15LMATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -22A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | PG-TDSON-8 | |
| シリーズ | OptiMOS Power Transistor | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 160mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 188W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id -22A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 PG-TDSON-8 | ||
シリーズ OptiMOS Power Transistor | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 160mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 188W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンMOSFETは、OptiMOSパワートランジスタを備え、様々な産業用途において卓越した性能を発揮するよう設計されています。高度なPチャンネルアーキテクチャと堅牢な構造により、過酷な条件下でも信頼性を確保します。150Vのブレークダウン電圧を備えたこのトランジスタは、大きな電圧を効果的に処理できるように設計されています。低オン抵抗により、効率を向上させ、電源管理システムの貴重なコンポーネントになります。このトランジスタは、RoHS準拠規格に準拠することで、環境のサステナビリティに対するコミットメントをさらに強調し、前向きなプロジェクトに最適な選択肢となっています。
極めて低いオン抵抗により効率を向上
信頼性の高い100%アバランチテスト済み
ロジックレベルゲートドライブ互換性
優れた熱性能により熱を低減
環境に配慮したRoHS準拠
信頼性に関するJEDEC規格に準拠
適応性の高い構成を実現するコンパクト設計
ハロゲンフリーリードめっきにより、環境安全性を向上
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