Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, -32 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, ISC750P10LMATMA1

RS品番:: 285-054
メーカー型番:: ISC750P10LMATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, -32 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, ISC750P10LMATMA1

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RS品番:: 285-054
メーカー型番:: ISC750P10LMATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	-32A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	PG-TDSON-8
	シリーズ	OptiMOS Power Transistor
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	75mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	188W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS Compliant
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id -32A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 PG-TDSON-8
	シリーズ OptiMOS Power Transistor
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 75mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 188W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	自動車規格なし

Datasheet - ISC750P10LMATMA1

インフィニオンMOSFETは、産業用途で最適な効率と汎用性を実現するように設計された高度なパワーMOSFETです。堅牢なPチャンネル構成を備え、非常に低いオン抵抗を発揮し、高いドレイン電流に対応できるため、さまざまな要求の厳しい電子回路に適しています。ロジックレベルゲートドライブが組み込まれているため、低電圧システムでもシームレスに動作します。優れた熱性能と信頼性の高いアバランチ等級により、このパワートランジスタは、連続的なストレス下で耐久性と信頼性を必要とする用途に最適です。RoHS準拠とハロゲンフリーリードめっきにより、環境に配慮した設計に適し、競争の激しい市場でメーカーに安心を提供します。

電源管理用の優れたスイッチング性能

信頼性の高い100%アバランチテスト済み

低熱抵抗による効果的な散逸

マイコンインターフェイスを簡単に実現するロジックレベルドライブ

鉛フリーリードめっきにより、環境に適合

広範囲にわたる温度での安定した性能

高速用途に最適化

高パルス電流定格をサポート

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, -32 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, ISC750P10LMATMA1

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