インフィニオン MOSFET, Pチャンネル, 2.7 A, 表面実装, 8 ピン, ISZ15EP15LMATMA1
- RS品番:
- 284-792
- メーカー型番:
- ISZ15EP15LMATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 284-792
- メーカー型番:
- ISZ15EP15LMATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 2.7 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 150 V | |
| シリーズ | OptiMOS Power Transistor | |
| パッケージタイプ | PG-TSDSON-8 FL | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| トランジスタ素材 | SiC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ P | ||
最大連続ドレイン電流 2.7 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 150 V | ||
シリーズ OptiMOS Power Transistor | ||
パッケージタイプ PG-TSDSON-8 FL | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
トランジスタ素材 SiC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
インフィニオンのMOSFETは、卓越した効率と信頼性を必要とする要求の厳しいアプリケーション向けに設計された高性能PチャネルMOSFETです。このパワー・トランジスタは、最大150Vのドレイン・ソース電圧で動作するため、さまざまなパワー・スイッチ・アプリケーションに最適です。高度なOptiMOS技術を使用して構築され、非常に低いオン抵抗を特徴とし、動作中の電力損失を最小限に抑えます。さらに、このコンポーネントはRoHSおよびハロゲンフリー規制に完全に準拠しており、環境に配慮した設計を強調している。厳格なアバランシェ・テストと産業用アプリケーション向けのJEDEC規格への準拠により、このデバイスは、信頼性の高い技術で回路設計を強化しようとするエンジニアにとって、堅牢で汎用性の高い選択肢として際立っている。
高電圧アプリケーションに簡単に対応
卓越した熱性能と効率
運転しやすいロジックレベルのしきい値
スペースに敏感な設計のためのコンパクトなパッケージ
100%雪崩テスト済みの信頼性
卓越した熱性能と効率
運転しやすいロジックレベルのしきい値
スペースに敏感な設計のためのコンパクトなパッケージ
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