インフィニオン MOSFET, Pチャンネル, 5.1 A, 表面実装, 8 ピン, ISZ75DP15LMATMA1
- RS品番:
- 284-803
- メーカー型番:
- ISZ75DP15LMATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 284-803
- メーカー型番:
- ISZ75DP15LMATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 5.1 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 150 V | |
| シリーズ | OptiMOS Power Transistor | |
| パッケージタイプ | PG-TSDSON-8 FL | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| トランジスタ素材 | SiC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ P | ||
最大連続ドレイン電流 5.1 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 150 V | ||
シリーズ OptiMOS Power Transistor | ||
パッケージタイプ PG-TSDSON-8 FL | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
トランジスタ素材 SiC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
インフィニオンのMOSFETは、高性能アプリケーション向けに設計された最先端のパワー・トランジスタです。先進のOptiMOS技術で設計されたこのデバイスは、150Vの最大電圧で動作しながら卓越した効率を実現します。低オン抵抗属性によりエネルギー損失を最小限に抑え、信頼性の高い電源管理を必要とするアプリケーションに最適です。この製品はJEDEC規格に完全に適合しており、要求の厳しい産業環境への適合性を保証しています。堅牢な熱特性と高い連続ドレイン電流に耐える能力により、多様な条件下での信頼性と耐久性を実証しています。
P チャネル設計による多彩な電源管理
信頼性を高める耐熱性
100%安全な雪崩テスト済み
ロジックレベルの互換性により設計を簡素化
環境に配慮した鉛フリーめっき
ハロゲンフリー構造で規制に適合
広い動作温度範囲による柔軟性
コンパクトなPG TSDSON 8パッケージで統合が容易
信頼性を高める耐熱性
100%安全な雪崩テスト済み
ロジックレベルの互換性により設計を簡素化
環境に配慮した鉛フリーめっき
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