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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	P
	最大連続ドレイン電流	15 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	100 V
	シリーズ	SIPMOS®
	パッケージタイプ	TO-220
	実装タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗	240 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	4V
	最低ゲートしきい値電圧	2.1V
	最大パワー消費	128 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	-20 V, +20 V
	1チップ当たりのエレメント数	1
	長さ	10.36mm
	標準ゲートチャージ @ Vgs	37 nC @ 10 V
	幅	4.57mm
	トランジスタ素材	Si
	動作温度 Max	+175 °C
	高さ	15.95mm
	動作温度 Min	-55 °C
	順方向ダイオード電圧	1.35V

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプ P
	最大連続ドレイン電流 15 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 100 V
	シリーズ SIPMOS®
	パッケージタイプ TO-220
	実装タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗 240 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 4V
	最低ゲートしきい値電圧 2.1V
	最大パワー消費 128 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V
	1チップ当たりのエレメント数 1
	長さ 10.36mm
	標準ゲートチャージ @ Vgs 37 nC @ 10 V
	幅 4.57mm
	トランジスタ素材 Si
	動作温度 Max +175 °C
	高さ 15.95mm
	動作温度 Min -55 °C
	順方向ダイオード電圧 1.35V

Infineon SIPMOS® PチャンネルMOSFET

Infineon SIPMOS^®小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。

· AEC Q101適合(データシートを参照してください)
· 無鉛めっき、RoHS対応

MOSFETトランジスタ、Infineon

Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

インフィニオン MOSFET, Pチャンネル, 15 A, スルーホール, 3 ピン, SPP15P10PHXKSA1

Infineon SIPMOS® PチャンネルMOSFET

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