型番

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 40 V, 180 A, 1.4 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

RS品番:: 244-1590
メーカー型番:: IPD25DP06LMATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 40 V, 180 A, 1.4 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

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RS品番:: 244-1590
メーカー型番:: IPD25DP06LMATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

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詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	180A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	IPD
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.4mΩ
	チャンネルモード	N
	最大許容損失Pd	81W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	80nC
	順方向電圧 Vf	1.1V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 180A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ IPD
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4mΩ
	チャンネルモード N
	最大許容損失Pd 81W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC
	順方向電圧 Vf 1.1V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Infineon MOSFET OptiMOSTMパワートランジスタは、鉛未使用リードめっき、RoHS対応、IEC61249-2-21に準拠したハロゲン未使用です。

Pチャンネル

超低オン抵抗RDS(on)

100％アバランシュテストを実施

ノーマルレベル

拡張モード

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