Infineon MOSFET, Nチャンネル, 2 kV, 60 A, 4ピン, パッケージ：PG-TO-247-4-PLUS-NT14
- RS品番:
- 284-861
- メーカー型番:
- IMYH200R012M1HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- IMYH200R012M1HXKSA1
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- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 2kV | |
| シリーズ | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| パッケージ型式 | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 4 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 2kV | ||
シリーズ CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
パッケージ型式 PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 4 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
インフィニオンCoolSiC 2000 V SiCトレンチMOSFETは、要求の厳しい用途向けに設計された高性能コンポーネントとして優れています。先進的なシリコンカーバイド技術により、優れた効率と熱性能を発揮し、現代の電源システムでの使用に最適です。堅牢な構造と革新的な機能を備えたこのデバイスは、ストリングインバータ、太陽光発電の最適化、電気自動車の充電など、さまざまな用途で信頼性を確保します。慎重に設計されたMOSFETは、高電圧環境に最適で、産業用途と商業用途の両方で優れた運用の利点を発揮します。その先進的な相互接続技術は、市場における高い評価をさらに確固たるものとし、デバイスの寿命延長と電力管理能力の向上を実現しています。
低スイッチング損失により、効率を向上
ハード整流用の堅牢なボディダイオード
制御用ベンチマークゲートしきい値電圧
非常に低いオンステート抵抗で導電性を実現
高い耐熱性により、過熱を最小限に抑制
最大2000Vの高電圧に最適
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