Infineon MOSFET, Nチャンネル, 2 kV, 48 A, 70 mΩ, 82 nC, 4ピン, パッケージ:PG-TO-247-4-PLUS-NT14

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RS品番:
349-111
メーカー型番:
IMYH200R050M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

48A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

2kV

パッケージ型式

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

シリーズ

CoolSiC

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

70mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

348W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

82nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

Infineon CoolSiCシリーズ MOSFET、最大ドレイン・ソース間電圧 2000V、最大連続ドレイン電流 48A — IMYH200R050M1HXKSA1


このMOSFETは、過酷な電気システムにおける高電圧スイッチング向けに設計された、シリコンカーバイド製のパワートランジスタです。Nチャネル・エンハンスメント型デバイスとして動作し、スルーホール方式の基板実装に対応しています。高温耐性と大きな連続電流処理能力が求められる用途に適しています。

特長および利点:


• 2000Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング機能を実現
• 48Aの連続ドレイン電流により、高負荷動作をサポート
• 70 mΩのオン抵抗(RDS(on))により、スイッチング時の導通損失を最小限に抑制
• 82nCの標準ゲート電荷により、予測可能なゲートドライブ設計を実現
• 348Wの最大許容電力により、大きな熱負荷を管理
• PG-TO-247-4-PLUS-NT14スルーホールパッケージにより、放熱対策を簡素化

用途


• 高電圧電源コンバータおよびインバータに最適
• 産業用モータードライブの電力変換段に最適
• 高電圧コンデンサ充電回路に使用
• ユーティリティ機器のDC-DC変換に使用可能
• 研究室でのパワーエレクトロニクス評価ボードに最適

安全な動作のために、どのようなゲート駆動の制約を遵守する必要がありますか?


ゲート・ソース間電圧(Vgs)は20Vを超えてはならないため、

過渡現象の抑制を含め、ゲートドライバがこの上限値を超えないよう設計する必要があります。

高温下ではどのように動作しますか?


最大175°Cのジャンクション温度で動作可能

熱管理には、熱暴走を防止するために、指定された最大許容電力を考慮する必要があります。

熱制御にはどのような取付方式が必要ですか?


4ピンPG-TO-247-4-PLUS-NT14スルーホールパッケージにより、堅牢な機械的固定とヒートシンクへの直接接続が可能で、効率的な放熱を実現します。

周囲温度の動作範囲に制約はありますか?


このデバイスは最低動作温度が-55°Cに規定されているため、低温でのコールドスタート時には、この下限温度を考慮した設計が必要です。

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