Infineon MOSFET, Nチャンネル, 2 kV, 26 A, 142 mΩ, 55 nC, 4ピン, パッケージ:PG-TO-247-4-PLUS-NT14

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1個小計:*

¥5,714

(税抜)

¥6,285

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 179 は海外在庫あり
  • 240 は 2027年11月11日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
1 - 9¥5,714
10 - 99¥5,142
100 +¥4,743

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
349-114
メーカー型番:
IMYH200R100M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

26A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

2kV

シリーズ

CoolSiC

パッケージ型式

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

142mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

217W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

55nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

Infineon CoolSiCシリーズ MOSFET、ドレイン・ソース間電圧 2000V、連続ドレイン電流 26A — IMYH200R100M1HXKSA1


このMOSFETは、過酷な電子システムにおける高電圧スイッチング向けに設計された、シリコンカーバイド製のNチャネル・エンハンスメント型デバイスです。スルーホール実装で大きな電圧や電流を変換・制御するための堅牢なソリューションを提供し、過酷な環境で使用できるよう広い周囲温度範囲で動作します。

特長および利点:


• 2000Vのドレイン・ソース間耐圧により、高電圧設計を簡素化
• 26Aの連続ドレイン電流により、持続的な電力供給をサポート
• 217Wの最大許容電力により、熱設計におけるマージン確保に貢献
• 142 mΩのオン抵抗(RDS(on))により、負荷時の導通損失を低減
• 55 nCの標準ゲート電荷により、ゲート駆動エネルギーを管理
• PG-TO-247-4-PLUS-NT14 スルーホールパッケージにより、取り付けと冷却が容易

用途


• 高電圧電源コンバータおよびインバータに最適
• 産業用モータードライブの電力変換段に最適
• エネルギー貯蔵システムや系統連系インターフェース回路に使用
• 高電圧テストおよび測定機器に使用可能
• トラクション用途および大電力パワーエレクトロニクスモジュールに最適

設計者はスイッチングにおいてどのような定格電圧と極性を考慮する必要がありますか?


このデバイスはドレイン・ソース間 2000Vの耐圧に対応するNチャネル・トランジスタとして構成されているため、高電圧回路に必要な絶縁距離と適切なゲート駆動基準を考慮して設計する必要があります。

ゲートドライバに必要なエネルギーは、ゲートドライバの選定にどのような影響を与えますか?


標準ゲート電荷55 nCのゲートドライバは、必要なスイッチング速度を達成するために十分なピーク電流を供給し、電磁的ストレスを制限するためにdv/dtを制御する必要があります。

信頼性の高い動作を確保するために、どのような熱設計上の考慮が必要ですか?


このコンポーネントは、規定条件下で最大217Wの電力を放散するため、ヒートシンクやプリント基板の熱伝導を含む熱管理を適切に設計し、接合部温度を許容範囲内に維持する必要があります。

このパッケージはどのような取付方式に対応し、どのような影響がありますか?


PG-TO-247-4-PLUS-NT14スルーホールパッケージにより、機械的な安定性とヒートシンクへの直接取り付けを実現し、高出力用途での実装を容易にします。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。