Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 22-Pin パッケージPG-HDSOP-22, IPQC60R010S7XTMA1

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RS品番:
284-890
メーカー型番:
IPQC60R010S7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

600V CoolMOS

パッケージ型式

PG-HDSOP-22

取付タイプ

表面

ピン数

22

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

694W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

318nC

順方向電圧 Vf

0.82V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS, JEDEC for Industrial Applications

自動車規格

なし

最先端の600V CoolMOS SJ S7パワーデバイスを備えたインフィニオンMOSFETは、MOSFETテクノロジーの優れた飛躍を示し、低周波スイッチング用途向けに特別にカスタマイズされています。このデバイスは最高の精度で設計されており、比類のないエネルギー効率を発揮し、ソリッドステートリレー、回路ブレーカ、およびさまざまな電源管理システムに最適です。高度な設計により、コンパクトフットプリントと優れた散熱機能を実現し、過酷な条件下でも最適な性能を実現します。このデバイスは、従来の電気機械的コンポーネントに比べて明確な利点が認められており、優れた信頼性を備えたシームレスなスイッチングを統合しています。産業用途向けのJEDEC規格に準拠した完全な認定を取得し、幅広い環境での堅牢性と信頼性を確保します。

価格と性能に最適化

堅牢性のための高いパルス電流容量

ケルビンソースピンでスイッチング性能を向上

衝撃や振動に対応する用途をサポート

内部ボディダイオードにより、導電損失を最小限に抑制

トップサイド冷却に対応し、熱性能を向上

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