Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 50 A N, 表面, 22-Pin パッケージHDSOP

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RS品番:
225-0579
メーカー型番:
IPDQ60R010S7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IPDQ60R010S7

パッケージ型式

HDSOP

取付タイプ

表面

ピン数

22

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

318nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.82V

最大許容損失Pd

694W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

高さ

21.06mm

長さ

15.1mm

幅

2.35 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon IPDQ60R010S7はNチャンネルパワーMOSFETで、低周波スイッチング用途に最適な性能を発揮します。このMOSFETはスタティックスイッチングや大電流アプリケーションに最適化されています。ソリッドステートリレーや回路ブレーカの設計、SMPSやインバータトポロジにおけるライナー整流に最適です。

導通損失を最小限に抑える

エネルギー効率を向上

コンパクトで使いやすい設計

ソリッドステート設計でヒートシンクを除去又は削減

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