Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 447 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQDH88N06LM5CGATMA1

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梱包形態
RS品番:
284-945
メーカー型番:
IQDH88N06LM5CGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

447A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PG-TTFN-9

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

9

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.86mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

76nC

最大許容損失Pd

333W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS, IEC61249-2-21

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETは、OptiMOS 5パワートランジスタを備え、産業用用途向けに卓越した効率性と信頼性を提供するよう設計された高性能NチャンネルMOSFETです。このコンポーネントは、高度な半導体技術を採用し、優れた熱管理と低オン抵抗を実現し、電力変換ソリューションに最適です。高いアバランチエネルギー等級とJEDEC規格に準拠した厳格な検証により、安全性と耐久性を維持しながら厳しい動作要件を満たすことができます。

冷却に対する耐熱性を最適化

産業信頼性に準拠

環境に配慮した鉛フリーめっき

低ゲートドライブ要件により、回路を簡素化

高ドレイン電流向けの堅牢な設計

信頼性の高い100%アバランチテスト済み

コンパクトパッケージで統合が容易

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