Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 447 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQDH88N06LM5CGATMA1
- RS品番:
- 284-945
- メーカー型番:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 284-945
- メーカー型番:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 447A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | PG-TTFN-9 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 9 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.86mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 76nC | |
| 最大許容損失Pd | 333W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 447A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 PG-TTFN-9 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 9 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.86mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 76nC | ||
最大許容損失Pd 333W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS, IEC61249-2-21 | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンMOSFETは、OptiMOS 5パワートランジスタを備え、産業用用途向けに卓越した効率性と信頼性を提供するよう設計された高性能NチャンネルMOSFETです。このコンポーネントは、高度な半導体技術を採用し、優れた熱管理と低オン抵抗を実現し、電力変換ソリューションに最適です。高いアバランチエネルギー等級とJEDEC規格に準拠した厳格な検証により、安全性と耐久性を維持しながら厳しい動作要件を満たすことができます。
冷却に対する耐熱性を最適化
産業信頼性に準拠
環境に配慮した鉛フリーめっき
低ゲートドライブ要件により、回路を簡素化
高ドレイン電流向けの堅牢な設計
信頼性の高い100%アバランチテスト済み
コンパクトパッケージで統合が容易
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