Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 151 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQE022N06LM5CGATMA1

RS品番:: 284-951
メーカー型番:: IQE022N06LM5CGATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 151 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQE022N06LM5CGATMA1

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5 - 45	￥388.20	￥1,941
50 - 95	￥368.80	￥1,844
100 - 495	￥341.20	￥1,706
500 - 995	￥314.40	￥1,572
1000 +	￥302.80	￥1,514

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RS品番:: 284-951
メーカー型番:: IQE022N06LM5CGATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	151A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	PG-TTFN-9
	シリーズ	OptiMOS
	取付タイプ	表面
	ピン数	9
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	2.2mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	100W
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS Compliant
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 151A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 PG-TTFN-9
	シリーズ OptiMOS
	取付タイプ表面
	ピン数 9
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.2mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 100W
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	自動車規格なし

インフィニオンMOSFETは、要求の厳しい電力管理用途向けに設計された高性能パワートランジスタです。スイッチモード電源の同期整流に最適化された先進的なOptiMOS 5技術を採用しています。革新的な設計により、非常に低いオン抵抗を実現し、信頼性と効率を向上させる優れた熱特性を発揮します。定格60Vのこの製品は、堅牢なアバランチテストとRoHS規格準拠のため、産業用途に特に適しています。ロジックレベルNチャンネル設計により、優れた動作性能を維持しながら回路への統合を簡素化します。

高効率の電力変換に最適化

ロジックレベルNチャンネルにより、インターフェイスが簡単

信頼性の高い100%アバランチテスト済み

環境安全に関するRoHS指令に準拠

ハロゲンフリーおよびサステナビリティ基準をサポート

産業用途に関するJEDECを検証済み

優れた熱管理により製品寿命を延長

過酷な負荷に対応する高い連続ドレイン電流

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 151 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQE022N06LM5CGATMA1

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