Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 151 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQE022N06LM5CGATMA1
- RS品番:
- 284-951
- メーカー型番:
- IQE022N06LM5CGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 284-951
- メーカー型番:
- IQE022N06LM5CGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 151A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | PG-TTFN-9 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 9 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 100W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 151A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 PG-TTFN-9 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 9 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 100W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- AT
インフィニオンMOSFETは、要求の厳しい電力管理用途向けに設計された高性能パワートランジスタです。スイッチモード電源の同期整流に最適化された先進的なOptiMOS 5技術を採用しています。革新的な設計により、非常に低いオン抵抗を実現し、信頼性と効率を向上させる優れた熱特性を発揮します。定格60Vのこの製品は、堅牢なアバランチテストとRoHS規格準拠のため、産業用途に特に適しています。ロジックレベルNチャンネル設計により、優れた動作性能を維持しながら回路への統合を簡素化します。
高効率の電力変換に最適化
ロジックレベルNチャンネルにより、インターフェイスが簡単
信頼性の高い100%アバランチテスト済み
環境安全に関するRoHS指令に準拠
ハロゲンフリーおよびサステナビリティ基準をサポート
産業用途に関するJEDECを検証済み
優れた熱管理により製品寿命を延長
過酷な負荷に対応する高い連続ドレイン電流
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