Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 637 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQDH45N04LM6CGATMA1

RS品番:: 285-038
メーカー型番:: IQDH45N04LM6CGATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 637 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQDH45N04LM6CGATMA1

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RS品番:: 285-038
メーカー型番:: IQDH45N04LM6CGATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	637A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	PG-TTFN-9
	シリーズ	OptiMOS
	取付タイプ	表面
	ピン数	9
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.45mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	333W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS Compliant
	自動車規格	なし

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	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 637A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 PG-TTFN-9
	シリーズ OptiMOS
	取付タイプ表面
	ピン数 9
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.45mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 333W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	自動車規格なし

Datasheet - IQDH45N04LM6CGATMA1

インフィニオンMOSFETは、先進的なパワートランジスタを備え、高性能用途に優れており、卓越した効率性と信頼性を実現します。OptiMOS 6シリーズ内で設計され、優れた電気的特性を発揮し、MOSFET技術の新しい基準を確立します。100%アバランチテストにより、電力管理やモータ制御用途で使用されているかどうかにかかわらず、ユーザーはその堅牢性を信頼できます。さらに、RoHS準拠とハロゲンフリーの属性により、厳しい環境基準に準拠することができ、環境に配慮したプロジェクトに適したスマートな選択肢となっています。

ロジックレベル用途向けのNチャンネル設計

優れた耐熱性を発揮し、放熱性を発揮

高速スイッチング効率のための設計

ストレス下の信頼性に関するアバランチ等級

環境に配慮した鉛フリーとRoHS準拠

安全規格に適合するハロゲンフリー構造

産業性能に関するJEDECに準拠

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 637 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQDH45N04LM6CGATMA1

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