2 Infineon MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 2.7 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, IRF7509TRPBF パッケージMSOP
- RS品番:
- 301-192
- Distrelec 品番:
- 302-84-022
- メーカー型番:
- IRF7509TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|
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- RS品番:
- 301-192
- Distrelec 品番:
- 302-84-022
- メーカー型番:
- IRF7509TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | MSOP | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 200mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| 最大許容損失Pd | 1.25W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3mm | |
| 高さ | 0.86mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 MSOP | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 200mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.5nC | ||
最大許容損失Pd 1.25W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3mm | ||
高さ 0.86mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon
InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET®デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
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