Infineon MOSFET, タイプP, タイプNチャンネル, 分離式, 30 V, 6.5 A, 98 mΩ, 22 nC, 8ピン, パッケージ：SOIC
- RS品番:
- 826-8879
- メーカー型番:
- IRF7319TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- 826-8879
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- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 98mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 順方向電圧 Vf | -0.78V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 98mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22nC | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
順方向電圧 Vf -0.78V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
長さ 5mm | ||
幅 4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon
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MOSFETトランジスタ、Infineon
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