2 Infineon MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 4.9 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- RS品番:
- 165-5939
- メーカー型番:
- IRF7316TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
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￥237,600.00
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | ￥59.40 | ￥237,600 |
| 8000 - 36000 | ￥58.538 | ￥234,152 |
| 40000 - 56000 | ￥57.08 | ￥228,320 |
| 60000 - 76000 | ￥55.623 | ￥222,492 |
| 80000 + | ￥54.156 | ￥216,624 |
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- RS品番:
- 165-5939
- メーカー型番:
- IRF7316TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 98mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | -0.78V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 4 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 98mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf -0.78V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 4 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
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