Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 1.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, IRLML2803TRPBF

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RS品番:
302-022
メーカー型番:
IRLML2803TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

250mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

540mW

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.3nC

動作温度 Max

150°C

高さ

1.02mm

幅

1.4 mm

規格 / 承認

No

長さ

3.04mm

Distrelec Product Id

304-36-995

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流1.2A、最大消費電力540 mW - IRLML2803TRPBF


このNチャネルMOSFETは、さまざまな電子アプリケーション向けに性能と信頼性の向上を実現しています。Hexfet技術で設計され、表面実装構成で効率的に動作するため、オートメーションや電気分野のコンパクト設計に適しています。低いRDS(on)と高い連続ドレイン電流の組み合わせは、様々な条件下での最適な電力管理をサポートする。

特徴と利点


• 最大連続ドレイン電流1.2Aをサポートし、効果的なパフォーマンスを発揮

• 最大ドレイン・ソース間電圧は30Vと高く、多用途に使用可能

• 最大ドレイン・ソース間抵抗が250mΩと低く、電力損失を最小化

• エンハンスメント・モード動作により、効率的なスイッチング機能を実現

• コンパクトなSOT-23パッケージは、スペースに制約のあるアプリケーションに最適

• 高温で動作し、最高動作温度は+150℃です。

用途


• 効果的なエネルギー管理のためにDC-DCコンバーターで利用される

• 精度向上のためモーター制御回路に採用

• 家電製品の電源スイッチングに最適

• オートメーションシステムに統合し、効率的な負荷管理を実現

動作に最適なゲート電圧は？


このデバイスに最適なゲート電圧は+10Vで、効率的なスイッチングと性能を可能にする。

高温での性能は？


この部品は+150℃までの温度で機能し、熱条件下での信頼性を保証する。

パルス状のドレイン電流に対応できるか？


はい、連続定格を大幅に上回るパルスドレイン電流をサポートし、短時間の電流サージに対応します。

この装置にはどのような取り付けタイプを推奨しますか？


表面実装は、回路設計においてより優れた熱性能とスペース効率を提供するため、推奨されるタイプである。

設置の際にはどのような注意が必要ですか？


動作中の損傷を防ぐには、適切な熱管理と最大定格の遵守が必要です。

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