Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 760 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:
919-4744
メーカー型番:
IRLML5103TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

760mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.4nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

540mW

動作温度 Max

150°C

高さ

1.02mm

幅

1.4 mm

長さ

3.04mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
TH

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流760mA、最大消費電力540mW - IRLML5103TRPBF


このMOSFETは、効率的なパワー・スイッチング・アプリケーションに適した汎用電子部品です。オートメーション、エレクトロニクス、機械産業用に設計され、高性能タスクのためのコンパクトなソリューションを提供します。そのエンハンスメント・チャネル・モードは動作効率を向上させ、信頼性の高いMOSFET機能を必要とするアプリケーションに人気のある選択肢となっている。

特徴と利点


• スペースに制約のある設計に適したコンパクトなSOT-23パッケージ

• 760mAの高い連続ドレイン電流で耐久性を強化

• 最大ドレイン・ソース間電圧30 Vで幅広い用途に対応

• 600mΩの低Rds(on)で電力損失を最小限に抑え、効率を向上

• 典型的なゲート電荷量3.4nCでスイッチング損失を低減

用途


• 電力管理および変換ソリューションに活用

• 産業オートメーションのセットアップに最適

• スイッチモード電源設計に最適

• 電子機器のバッテリー管理システムをサポート

• 運動制御 効率的な電力スイッチングを必要とする

高温環境下でのMOSFETの性能は？


最高+150℃まで効果的に機能し、厳しい条件下でも安定した性能を発揮する。

Rds(on)の値が低いことの意味は？


Rds(on)が600mΩと低いため、動作中のエネルギー損失が少なく、システム全体の効率が向上する。

このMOSFETはコンパクトな設計に使用できますか？


そう、SOT-23パッケージは、性能を損なうことなくコンパクトなアプリケーションへの統合を可能にします。

このデバイスが扱えるゲート・ソース間電圧の最大値は？


最大±20Vのゲート・ソース間電圧に耐えることができ、規定の範囲内で安全に動作する。

最適なパフォーマンスを発揮するためには、どのように設置に取り組むべきか？


適切な熱管理と接続性を確保し、最適な結果を得るためには、PCB上での適切な取り扱いとレイアウトが極めて重要である。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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