ローム MOSFET, Nチャンネル, シングル, 60 V, 12 A, 86 mΩ, 8ピン, パッケージ：HSMT
- RS品番:
- 133-3297
- メーカー型番:
- RQ3L050GNTB
- メーカー/ブランド名:
- ローム
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- RS品番:
- 133-3297
- メーカー型番:
- RQ3L050GNTB
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 60 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 12 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 86 mΩ | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | HSMT | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.2 V | |
| 高さ | 850 μm | |
| 長さ | 3.3 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 20 V, -20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 14.8 W | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| シリーズ | RQ3L050GN | |
| 幅 | 3.1 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 60 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 12 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 86 mΩ | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 HSMT | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 1.2 V | ||
高さ 850 μm | ||
長さ 3.3 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V, -20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 14.8 W | ||
取付タイプ 表面 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリーズ RQ3L050GN | ||
幅 3.1 mm | ||
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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