STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 5 A エンハンスメント型, 表面, 10-Pin パッケージPowerSO-10RF, PD55015TR-E

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梱包形態
RS品番:
330-273
メーカー型番:
PD55015TR-E
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

PowerSO-10RF

シリーズ

PD5

取付タイプ

表面

ピン数

10

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.75Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

65°C

最大許容損失Pd

73W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

165°C

長さ

15.65mm

規格 / 承認

ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS

幅

9.6 mm

高さ

3.6mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
STマイクロエレクトロニクスは、コモンソースのNチャネル・エンハンスメントモード・ラテラル電界効果RFパワー・トランジスタです。高ゲイン、広帯域の商用および産業用アプリケーション向けに設計されている。最大1GHzの周波数で、12Vのコモンソースモードで動作する。PD55015-Eは、初の真のSMDプラスチックRFパワー・パッケージであるPowerSO-10RFに搭載されたSTの最新LDMOS技術により、優れたゲイン、直線性、および信頼性を誇ります。

優れた熱安定性

共通ソース構成

POUT 15 W、14dB ゲイン、レート 500 MHz または 12.5 V

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