STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 2.5 A エンハンスメント型, 表面, 10-Pin パッケージPowerSO-10RF, PD55003TR-E

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梱包形態
RS品番:
330-270
メーカー型番:
PD55003TR-E
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

PD5

パッケージ型式

PowerSO-10RF

取付タイプ

表面

ピン数

10

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.75Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

65°C

最大許容損失Pd

31.7W

動作温度 Max

165°C

規格 / 承認

ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS

幅

9.6 mm

長さ

15.65mm

高さ

3.6mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
STマイクロエレクトロニクスのRFパワー・トランジスタは、Nチャネル・エンハンスメント・モード・ラテラルMOSFETのLdmoSTプラスチック・ファミリで、高ゲイン、広帯域の商用および産業用アプリケーション向けに設計されています。最大1GHzの周波数で、12Vのコモンソースモードで動作する。PD55003は、初の真のSMDプラスチックRFパワー・パッケージであるPowerSO-10RFに搭載されたSTの最新LDMOS技術により、優れたゲイン、直線性、および信頼性を誇ります。優れた直線性性能により、車載用移動無線に理想的なソリューションとなっている。

優れた熱安定性

共通ソース構成

POUT 3 W、17dBゲイン、レート500 MHzまたは12.5 V

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