ローム MOSFET, タイプPチャンネル 80 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOP-8, RQ3N060ATTB1

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RS品番:
331-689
メーカー型番:
RQ3N060ATTB1
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

HSOP-8

シリーズ

RQ3N060AT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

52mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大許容損失Pd

20W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

50nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

ロームのパワーMOSFETは、スイッチング用途やモータドライブ用途に最適な低オン抵抗MOSFETです。このパワーMOSFETは、高出力の小型モールドパッケージに収められています。

鉛フリーめっき

RoHS準拠

ハロゲンフリー

100% Rg および UIS テスト済み

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