Infineon MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 142 A, 18 mΩ, 148 nC, 16ピン, パッケージ：PG-HDSOP-16
- RS品番:
- 349-047
- メーカー型番:
- IMLT65R015M2HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 349-047
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- IMLT65R015M2HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 142A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | IMLT | |
| パッケージ型式 | PG-HDSOP-16 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 16 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 18mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 600W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 148nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 142A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ IMLT | ||
パッケージ型式 PG-HDSOP-16 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 16 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 18mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 600W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 148nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
Infineon IMLTシリーズMOSFET、650Vドレイン-ソース電圧、142A連続ドレイン電流 - IMLT65R015M2HXTMA1
このMOSFETは、要求の厳しい電源スイッチング機能向けに設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。広い温度範囲で動作し、密集した電子アセンブリに適したコンパクトな表面実装パッケージで提供されます。このデバイスは、RoHS環境制限に適合しながら、大幅な電力処理能力を発揮します。
特長および利点：
• 18mΩ のオン抵抗により、導通損失を低減
• 600Wの消費電力により、ヘビー負荷スイッチングをサポート
• 142A連続ドレイン電流により、高電流用途に対応
• 650Vのドレイン・ソース定格により、高電圧動作が可能
• 23Vゲート‐ソースリミットによりゲート過電圧保護を実現
• 600Wの消費電力により、ヘビー負荷スイッチングをサポート
• 142A連続ドレイン電流により、高電流用途に対応
• 650Vのドレイン・ソース定格により、高電圧動作が可能
• 23Vゲート‐ソースリミットによりゲート過電圧保護を実現
用途
• 高電圧電源コンバータに最適
• 産業用モーター駆動段階に最適
• DC‐DCおよびPFC回路に使用
• 再生可能エネルギーインバータに使用可能
• 高電流スイッチングモジュールに最適
• 産業用モーター駆動段階に最適
• DC‐DCおよびPFC回路に使用
• 再生可能エネルギーインバータに使用可能
• 高電流スイッチングモジュールに最適
プリント基板組立にはどのようなパッケージタイプを使用しますか?
自動実装に適したPG‐HDSOP‐16表面実装パッケージで提供されます。
どのような熱環境に耐えられますか?
-55°C～175°Cで動作し、幅広い温度範囲で動作します。
ゲート充電はスイッチング性能にどのように影響しますか?
標準的なゲート電荷は148nCで、過渡時のドライブ要件とスイッチング損失に影響を与えます。
自動車認証に適していますか?
自動車規格に準拠しているわけではありませんが、RoHS環境規制に適合しています。
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