Infineon MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 142 A, 18 mΩ, 148 nC, 16ピン, パッケージ:PG-HDSOP-16

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RS品番:
349-047
メーカー型番:
IMLT65R015M2HXTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

142A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

IMLT

パッケージ型式

PG-HDSOP-16

取付タイプ

表面

ピン数

16

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

18mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

600W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

148nC

最大ゲートソース電圧Vgs

23V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

Infineon IMLTシリーズMOSFET、650Vドレイン-ソース電圧、142A連続ドレイン電流 - IMLT65R015M2HXTMA1


このMOSFETは、要求の厳しい電源スイッチング機能向けに設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。広い温度範囲で動作し、密集した電子アセンブリに適したコンパクトな表面実装パッケージで提供されます。このデバイスは、RoHS環境制限に適合しながら、大幅な電力処理能力を発揮します。

特長および利点:


• 18mΩ のオン抵抗により、導通損失を低減
• 600Wの消費電力により、ヘビー負荷スイッチングをサポート
• 142A連続ドレイン電流により、高電流用途に対応
• 650Vのドレイン・ソース定格により、高電圧動作が可能
• 23Vゲート‐ソースリミットによりゲート過電圧保護を実現

用途


• 高電圧電源コンバータに最適
• 産業用モーター駆動段階に最適
• DC‐DCおよびPFC回路に使用
• 再生可能エネルギーインバータに使用可能
• 高電流スイッチングモジュールに最適

プリント基板組立にはどのようなパッケージタイプを使用しますか?


自動実装に適したPG‐HDSOP‐16表面実装パッケージで提供されます。

どのような熱環境に耐えられますか?


-55°C~175°Cで動作し、幅広い温度範囲で動作します。

ゲート充電はスイッチング性能にどのように影響しますか?


標準的なゲート電荷は148nCで、過渡時のドライブ要件とスイッチング損失に影響を与えます。

自動車認証に適していますか?


自動車規格に準拠しているわけではありませんが、RoHS環境規制に適合しています。

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