Infineon パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 650 V, 74 A エンハンスメント型, 表面実装, 16-Pin パッケージPG-HDSOP-16, IMLT65R075M2HXTMA1

N
MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥748.00

(税抜)

￥822.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月18日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
1 - 9￥748
10 - 49￥606
50 - 99￥465
100 +￥372

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
762-921
メーカー型番:
IMLT65R075M2HXTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

74A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PG-HDSOP-16

シリーズ

CoolSiC

取付タイプ

表面実装

ピン数

16

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

95mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

4.3V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

最大許容損失Pd

187W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

高さ

15.2mm

長さ

10.1mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon CoolSiC MOSFETは、比類のない性能、優れた信頼性、優れた使いやすさを実現します。コスト効率に優れ、高効率で簡素化された設計により、成長するシステムと市場のニーズを満たすことができます。

超低スイッチング損失

システムの堅牢性と信頼性を向上

使いやすさと統合性を向上

システムのサイズ、重量、材質を削減

関連ページ