Infineon MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 43 A, 62 mΩ, 22 nC, 4ピン, パッケージ：PG-LHSOF-4
- RS品番:
- 349-058
- メーカー型番:
- IMTA65R050M2HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 349-058
- メーカー型番:
- IMTA65R050M2HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 43A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PG-LHSOF-4 | |
| シリーズ | IMT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 62mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 197W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 22nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 43A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PG-LHSOF-4 | ||
シリーズ IMT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 62mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 197W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 は、Infineon の堅牢な第 2 世代シリコンカーバイドトレンチ技術に基づいて構築されており、比類のない性能、優れた信頼性、卓越した使いやすさを提供します。この MOSFET は、コスト効率に優れ、高効率で簡素化された設計を可能にし、現代の電力システムや市場で増え続ける要求に応えるのに理想的です。その先進の技術は、幅広い用途で高いシステム効率を達成するための強力なソリューションを提供します。
超低スイッチング損失
0 V ターンオフのゲート電圧でも寄生ターンオンに対して堅牢な耐性
柔軟な駆動電圧とバイポーラドライブスキームに対応
ハード整流事象下での堅牢なボディダイオード動作
クラス最高の熱性能を実現する .XT 相互接続技術
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