Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 37 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-LHSOF-4, IMTA65R060M2HXTMA1

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RS品番:
349-060
メーカー型番:
IMTA65R060M2HXTMA1
メーカー/ブランド名:
Infineon
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ブランド

Infineon

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

37A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolSiC

パッケージ型式

PG-LHSOF-4

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

60mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

23 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

最大許容損失Pd

165W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 は、Infineon の堅牢な第 2 世代シリコンカーバイドトレンチ技術に基づいて構築されており、比類のない性能、優れた信頼性、卓越した使いやすさを提供します。この MOSFET は、コスト効率に優れ、高効率で簡素化された設計を可能にし、現代の電力システムや市場で増え続ける要求に応えるのに理想的です。その先進の技術は、幅広い用途で高いシステム効率を達成するための強力なソリューションを提供します。

超低スイッチング損失

0 V ターンオフのゲート電圧でも寄生ターンオンに対して堅牢な耐性

柔軟な駆動電圧とバイポーラドライブスキームに対応

ハード整流事象下での堅牢なボディダイオード動作

クラス最高の熱性能を実現する .XT 相互接続技術

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