Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 83 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージPG-TO-247, IMW65R020M2HXKSA1

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RS品番:
349-063
メーカー型番:
IMW65R020M2HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

83A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolSiC

パッケージ型式

PG-TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

24mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

57nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

273W

最大ゲートソース電圧Vgs

23 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 は、Infineon の堅牢な第 2 世代シリコンカーバイドトレンチ技術に基づいて構築されており、比類のない性能、優れた信頼性、優れた使いやすさを提供します。この MOSFET は、コスト効率に優れ、高効率で簡素化された設計を可能にするよう設計されており、現代の電力システムや市場で増え続ける需要に対応しています。幅広い用途で高いシステム効率を実現する理想的なソリューションであり、信頼性の高い性能と優れた機能性を提供します。

超低スイッチング損失

0 V ターンオフのゲート電圧でも寄生ターンオンに対して堅牢な耐性

柔軟な駆動電圧とバイポーラドライブスキームに対応

ハード整流事象下での堅牢なボディダイオード動作

クラス最高の熱性能を実現する .XT 相互接続技術

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