Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 53 A 650 V, スルーホール エンハンスメント型, 3-Pin, IMW65R033M2HXKSA1 パッケージPG-TO-247

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥2,344.00

(税抜)

￥2,578.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 240 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 9￥2,344
10 - 99￥2,110
100 +￥1,944

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
351-865
メーカー型番:
IMW65R033M2HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

53A

出力電力

194W

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

IMW65

パッケージ型式

PG-TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

5.3mm

規格 / 承認

JEDEC for Industrial Applications

長さ

16.3mm

幅

21.5 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
TO-247-3 パッケージの Infineon CoolSiC MOSFET 650 V、33 mΩ G2 は、第 1 世代技術の強みを生かし、よりコスト最適化された、効率的でコンパクトな信頼性の高いソリューションのシステム設計を加速します。第 2 世代は、ハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジの両方において、主要性能指数が大幅に改善されており、AC-DC、DC-DC、DC-AC ステージの一般的な組み合わせすべてに適しています。

優れた性能指数（FOM）

クラス最高の RDS(on)

高い堅牢性と全体的な品質

柔軟な駆動電圧範囲

ユニポーラ駆動をサポート（VGSoff=0）

ターンオン効果に対する最高の免疫力

.XT とのパッケージ相互接続の改善

関連ページ